雖然在16nm FinFET工藝上落後於Samsung甚至Globalfoundries的14nm FinFET工藝,但TSMC研發新工藝的決心是不會變的,而且未來會縮短與Intel公司的工藝差距。16nm工藝之後就是10nm工藝了,TSMC已 經在跟多個客戶聯合設計10nm產品了,預計2017年量產。

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TSMC技術討論會上跟TSMC負責基礎設施建設的資深總監Suk Lee做了交流,雙方談到了TSMC公司的製程工藝進展。TSMC公司聯席CEO、總裁Mark Liu(劉德音)提到16nm工藝之後10nm工藝會快速跟進,而Suk Lee也表示他們的10nm工藝正在進行當中,已經完成了超過35個使用ARM CPU核心的EDA工具的認證工作。

此外,他們在10nm工藝上提前6個月就跟用客戶開始IP驗證工藝了,目前已經有10家客戶正在合作10nm產品了。TSMC將在2015年底前完成認證工作,正在與客戶合作流片,以及2017年大規模量產。

10nm之後就是7nm了,Suk Lee表示不方便評論特定工藝,不過TSMC已經有團隊在研發10nm之後的工藝了,預計7nm工藝會在2017-2019年期間才能問世。

巧合的是,Intel對10nm工藝的預計量產時間也是在2017年,如果順利的話,TSMC屆時就能跟Intel最新工藝同步了。Intel去年就量產了14nm工藝,早在2012的IVB處理器上就用了FinFET晶體管,而TSMC的16nm FinFET工藝預計今年下半年才量產。


 TSMC將在2017年量產10nm工藝產品

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