TSMC將在2017年量產10nm工藝產品

雖然在16nm FinFET工藝上落後於Samsung甚至Globalfoundries的14nm FinFET工藝，但TSMC研發新工藝的決心是不會變的，而且未來會縮短與Intel公司的工藝差距。16nm工藝之後就是10nm工藝了，TSMC已 經在跟多個客戶聯合設計10nm產品了，預計2017年量產。

TSMC技術討論會上跟TSMC負責基礎設施建設的資深總監Suk Lee做了交流，雙方談到了TSMC公司的製程工藝進展。TSMC公司聯席CEO、總裁Mark Liu（劉德音）提到16nm工藝之後10nm工藝會快速跟進，而Suk Lee也表示他們的10nm工藝正在進行當中，已經完成了超過35個使用ARM CPU核心的EDA工具的認證工作。

此外，他們在10nm工藝上提前6個月就跟用客戶開始IP驗證工藝了，目前已經有10家客戶正在合作10nm產品了。TSMC將在2015年底前完成認證工作，正在與客戶合作流片，以及2017年大規模量產。

10nm之後就是7nm了，Suk Lee表示不方便評論特定工藝，不過TSMC已經有團隊在研發10nm之後的工藝了，預計7nm工藝會在2017-2019年期間才能問世。

巧合的是，Intel對10nm工藝的預計量產時間也是在2017年，如果順利的話，TSMC屆時就能跟Intel最新工藝同步了。Intel去年就量產了14nm工藝，早在2012的IVB處理器上就用了FinFET晶體管，而TSMC的16nm FinFET工藝預計今年下半年才量產。