傳統的平面快閃記憶體在16/15nm工藝之後面臨瓶頸,廠商開始轉向3D NAND Flash,這其中三星動作最快,去年就已經開始量產第二代V-NAND Flash了,850 Pro及850 Evo SSD也上市了。Toshiba/Sandisk也在跟進,在日本擴建Fab 2工廠準備3D NAND Flash生產,Intel/美光去年底也公開了他們的3D NAND Flash,現在也準備量產了。日前美光宣佈投資40億美元擴建新加坡的Fab 10晶圓廠,明年底開始量產第二代3D NAND Flash。

 

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美光在新加坡現有Fab 10N晶圓廠,每月產能約為14萬片等效晶圓,這次投資新建的是Fab 10X晶圓廠,主要生產第二代3D NAND Flash,建成後每月產能還是大約14萬片等效晶圓,不過之後就是3D NAND Flash了,因此總產能更大,在未來的幾年裡可支撐每年bit容量增長40-50%。

 

此次投資總額約為40億美元,整個項目要到2017財年也就是2016年Q4季度才能完成,其中2015財年先期投資為5億美元。

 

美光的Fab 10X工廠主要是生產第二代的3D NAND Flash,根據Intel之前所說,二代3D NAND Flash最高可以堆疊32層NAND,die核心容量則高達256Gb,這樣就能達到1TB容量,如果是TLC Flash,die容量則可以達到384Gb,2mm厚度下就能實現1TB的容量,也就是一張SD卡的大小就有TB+的容量。

 

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在美光的路線圖上,平面的16nm工藝之後他們就會100%專注於3D NAND Flash,2015年底首先會在消費級市場推出3D NAND Flash的固態硬盤,不過這個應該是第一代3D NAND的,堆疊層數為16層,比三星的V-NAND略低。

 


 美光投資40億美元擴建晶圓廠,生產第二代3D NAND Flash

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