美光投資40億美元擴建晶圓廠，生產第二代3D NAND Flash

傳統的平面快閃記憶體在16/15nm工藝之後面臨瓶頸，廠商開始轉向3D NAND Flash，這其中三星動作最快，去年就已經開始量產第二代V-NAND Flash了，850 Pro及850 Evo SSD也上市了。Toshiba/Sandisk也在跟進，在日本擴建Fab 2工廠準備3D NAND Flash生產，Intel/美光去年底也公開了他們的3D NAND Flash，現在也準備量產了。日前美光宣佈投資40億美元擴建新加坡的Fab 10晶圓廠，明年底開始量產第二代3D NAND Flash。

美光在新加坡現有Fab 10N晶圓廠，每月產能約為14萬片等效晶圓，這次投資新建的是Fab 10X晶圓廠，主要生產第二代3D NAND Flash，建成後每月產能還是大約14萬片等效晶圓，不過之後就是3D NAND Flash了，因此總產能更大，在未來的幾年裡可支撐每年bit容量增長40-50%。

此次投資總額約為40億美元，整個項目要到2017財年也就是2016年Q4季度才能完成，其中2015財年先期投資為5億美元。

美光的Fab 10X工廠主要是生產第二代的3D NAND Flash，根據Intel之前所說，二代3D NAND Flash最高可以堆疊32層NAND，die核心容量則高達256Gb，這樣就能達到1TB容量，如果是TLC Flash，die容量則可以達到384Gb，2mm厚度下就能實現1TB的容量，也就是一張SD卡的大小就有TB+的容量。

在美光的路線圖上，平面的16nm工藝之後他們就會100%專注於3D NAND Flash，2015年底首先會在消費級市場推出3D NAND Flash的固態硬盤，不過這個應該是第一代3D NAND的，堆疊層數為16層，比三星的V-NAND略低。