新 聞①： DARM和NAND現貨市場價格走低，漲價周期或將結束
從去年年中開始DRAM和NAND的就進入了漲價周期，大家應該都明顯感受到內存和SSD價格比去年同期貴了不少，但這波漲價可能就到此為止了。根據 TrendForce 的最新現貨市場價格趨勢報告，DARM和 NAND閃存 現貨市場價格短期內均未見明顯回升跡象。
DARM現貨市場價格走勢和合約市場是背離的，未見轉機跡象，除了內存模組廠庫存過剩外，消費級市場也維持疲弱，尚未見旺季效應。
此外國內自5月底開始嚴厲打擊走私行為，導致重新植球的DRAM芯片現貨價格持續下跌，短期內難以反彈，整體而言主流芯片現貨均價較上周下跌2.54%。重新植球是一種修復DRAM芯片的技術，通過更換芯片底部的錫球來修復芯片。在許多情況下，這可以使DARM再次工作，但這種芯片不如新的DRAM可靠。
同樣由於SSD制造廠庫存充足，現貨NAND閃存市場交易同樣疲軟，盡管現貨供應商降價，但需求仍未復蘇。這已經導致現貨價格和合約價格之間的分歧持續存在，市場人士對第三季是否會出現補庫需求仍持觀望態度。512Gb TLC晶圓現貨本周下跌0.57%，報3,309美元。
總體而言，由於需求疲軟，DRAM和NAND閃存市場在定價方面都面臨重大挑戰，TrendForce預計價格短期內不會回升。此外上遊廠商也開始停止NAND閃存的減產，並準備增加產量，這舉措可能會對NAND閃存供應和價格產生重大影響。
原文鏈接：https://www.expreview.com/94364.html
喲！這不內存和閃存嘛！幾天不見怎麼拉了？？不是要漲價嗎？？怎麼漲不動了？？與2016年那波浪潮不同，這次的存儲芯片漲價風波來的也快去的似乎也快？前幾天我們剛講了鎧俠已經回復全部NAND產能，有望拉低價格，今天看來是真的了。這個東西就像是囚徒困境一樣， 大家都減產控制產量，大家就都漲價掙錢，但一但有一家忍不住了想著趁高點賣一波，那就像氣球泄了氣一樣，收不回來了。到今天，NAND和DRAM芯片都有走低的跡象，看來降價應該不遠了，就是不知道什麼時候能降回前兩年白菜價的好時代。
新 聞 ②： 美光在全球范圍內加大HBM3E生產，或選擇馬來西亞建造新工廠
此前美光曾表示，希望到2025年，能占據20%至25%的HBM市場份額，力爭提高到與傳統DRAM相當的水平。對於具體如何去實現，美光並沒有詳細的說明，不過進一步擴大產能是必然的。
據相關媒體 報道 ，美光除了在日本和中國臺灣擴大產能外，還考慮在馬來西亞生產HBM3E，並加強在美國的研發業務。考慮到美光至2025年的HBM產能都已經被客戶預定，建設新工廠變得勢在必行。
美光在馬來西亞是有封裝和測試基地的，所以選擇在該地區新建DRAM工廠存在可行性。馬來西亞有著相對成熟的半導體供應鏈，英特爾和AMD都在此建有封裝設施。不過有業內人士稱，美光不太可能在馬來西亞生產DRAM芯片，因為需要耗費數年時間，而且資金投入也比較大，更大的可能性是建立組裝產線，完成HBM3E的組裝工作。
目前美光最大的HBM生產基地在臺中，不但生產DRAM芯片，還會進行組裝、封裝和測試。美光打算進一步提升該地區工廠的產能，不過暫時還不清楚具體的計劃。同時美光將在日本廣島縣建造一座新的DRAM工廠，在廣島的新工廠位於現有的Fab 15附近，計劃2026年初開工建設，目標2027年末完成工廠主體建築建設和第一批工具的安裝，但不包括後端封裝和測試。其中將安裝極紫外（EUV）光刻設備，以1-gamma（1γ）工藝生產DRAM芯片，未來還會過渡到1-delta工藝。
此外，美光還在美國愛達荷州博伊西新建一座DRAM工廠，並擴大了研發設施，為接下來的HBM4做準備。這也是美國20年來本土首個新建DRAM工廠，同時也是愛達荷州有史以來最大的私人投資項目。
原文鏈接：https://www.expreview.com/94366.html
站在內存類產品頂端的HBM3E也有了新消息，之前我們說過，美光和海力士均表示自家2024年產能已經預定一空，這也導致了專業卡HBM3E內存的漲價和供不應求……不過這個情況可能會隨著美光新工廠的建立得到改善，但對於一家獨家的NVIDIA來說，肯定不會因為成本下降就降價……另外，三星也在緊張籌備中，或許等三星入局，成本還將繼續下降。
新 聞 ③ ： 新版13/14代酷睿K/KF/KS不穩定問題相關指導發佈，英特爾稱eTVB非根本原因
此前英特爾針對第13和14代酷睿處理器的遊戲穩定性問題推出了“Intel Default Settings”配置文件，其中降低了核心電壓並限制這些處理器的升壓餘量，但並沒有解決本質問題，隻是降低了問題發生的可能性，並會導致性能下降。此前有 報道 稱，原因是eTVB功能相關的微代碼算法中的值不正確，Raptor Lake在高溫下增加頻率和相應的電壓可能會降低處理器的可靠性，受影響平臺包括Raptor Lake-S和Raptor Lake Refresh-S。
今天英特爾 發佈 了第13和14代酷睿K/KF/KS處理器不穩定問題的相關指導（2024年6月），分享了導致不穩定問題的確認因素，以及當前的用戶指南。同時英特爾還感謝社區用戶對此的耐心，表示正與合作夥伴持續調查用戶匯報的不穩定問題，未來將繼續分享調查的最新進展，直到最終得出結論。
英特爾根據分析認定，導致第13/14代酷睿K/KF/KS處理器不穩定問題的一個已確認的因素是： 由於先前的BIOS設置導致處理器在高溫下仍能以睿頻加速的頻率和電壓運行，從而導致的處理器電壓輸入升高。
在調查不穩定問題時，英特爾確實發現了eTVB算法中的一個瑕疵，這可能會影響第13/14代酷睿K/KF/KS處理器的運行條件。英特爾已經為eTVB瑕疵開發了補丁，並正在與我們的OEM/ODM主板合作夥伴合作，在2024年7月19日之前作為 BIOS更新 的一部分推出該補丁。隨著與合作夥伴的深入調查，英特爾希望確保所有用戶都清楚第13/14代酷睿K/KF/KS處理器的推薦設置。英特爾還建議用戶檢查主板廠商的網站，以獲取最新的相關BIOS更新。
推薦設置通過了廣泛的測試和驗證，確保了第13/14代酷睿K/KF/KS處理器的最佳穩定性和可靠性。英特爾強調，超頻或使用高於推薦功耗設置的用戶需自行承擔風險，可能會使保修失效或影響系統健康。
此外，英特爾稱當前發現的eTVB瑕疵和不穩定問題相關，但並不是不穩定問題的根本原因。這意味英特爾與合作夥伴的分析調查將持續下去，可能會提供新版的第13/14代酷睿K/KF/KS處理器推薦設置。
原文鏈接：https://www.expreview.com/94356.html
另外，之前的Intel 13代/14代酷睿不穩定的情況也有了新的調查結果。此前，曾有相關機構指出原因是eTVB功能相關的微代碼算法中的值不正確，但Intel否定了這一結論。而今天，Intel終於也拿出了官方的調查結果，Intel認為是BIOS設置導致處理器在高溫下仍能以睿頻加速的頻率和電壓運行，從而導致的處理器電壓輸入升高，也就是依舊保持之前的言論，認為是主板廠商過於激進的BIOS設定的緣故。這個答案應該就是最終答案了，想來Intel也不會再對該問題繼續跟進或處理。
文章轉載自網絡（鏈接如上）。文章出現的任何圖片，標志均屬於其合法持有人；本文僅作傳遞信息之用。如有侵權可在本文內留言。
引用文章內容與觀點不代表電腦吧評測室觀點。
