物聯網和 5G 等新興技術推動了電子紡織品的發展，它們像普通織物一樣柔韌、透氣，被認為是可穿戴設備的終極形式，將徹底改變人機互動範式。具有能量收集/存儲、傳感和顯示功能的電子紡織品已經通過交織光電纖維製成。對於電子紡織品的實際應用，信息處理設備是將功能電子元件集成在一起形成閉環智能系統的核心構件。然而，傳統的具有剛性基板和多層結構的信息處理設備很難滿足電子紡織品的柔性、輕便和透氣的需求。隨著電子紡織品中產生的數據量不斷增加，設計強大的編織信息處理設備以無縫適應紡織品的交織結構和複雜變形至關重要，同時也具有挑戰性。
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圖 1. 由含納米通道的 Pt/CuZnS 纖維製成的紡織型憶阻器的設計和結構表徵。a) 示意圖顯示了在前神經元和後神經元之間傳輸和處理電信號的生物神經網絡。b) 示意圖顯示了用 Pt/CuZnS 纖維和 Ag 纖維電極編織的紡織型憶阻器（左和中）。c) 紡織型憶阻器的照片。d) 通過交錯 Pt/CuZnS 纖維(50 μm) 和 Ag 纖維電極 (20 μm) 得到的紡織型憶阻器單元的 SEM 圖像。e) Pt 纖維電極上CuZnS 薄膜的橫截面 SEM 圖像。f) 帶有納米通道的 CuZnS 薄膜的 GISAXS 圖像顯示兩個明顯的斑點（標有紅色箭頭）。g) 納米通道的高解析度 TEM 圖像。在晶相中形成裝飾在納米通道周圍的 CuZnS 的非晶相。h) 以 0.1 mm 的曲率半徑彎曲的 Pt/CuZnS 纖維的 SEM 圖像。
圖 2. 紡織型憶阻器的憶阻性能。a) 演示紡織型憶阻器工作過程的示意圖。b、c）分別具有和不具有納米通道的紡織型憶阻器單元的電流-電壓 (I-V) 曲線。d) 由Pt/CuZnS 纖維製成的紡織型憶阻器單元在調查的 100 個開關周期中設定電壓的變化。e) 由 Pt/CuZnS 纖維製成的憶阻器單元在 100 個開關周期期間的高電阻狀態 (HRS) 的電阻變化。f）具有納米通道的憶阻器的多級電阻狀態的保留情況。g) 包含納米通道的憶阻器和最先進的平面絲狀憶阻器之間的設定電壓和標準變化的比較。
圖 3. 由含納米通道的 CuZnS 薄膜製成的紡織型憶阻器的電阻切換機制。a）提案切換機制的示意圖。b) 施加電壓下具有納米通道的 CuZnS 薄膜中電場分布的有限元模擬。在納米通道處形成電場的局部增強。c) 與沒有納米通道的相比，具有納米通道的 CuZnS 薄膜的 S 2p 的 XPS 光譜顯示出向低結合能的負偏移。d) 具有納米通道的 CuZnS 薄膜的 Mott-Schottky 曲線顯示出比沒有納米通道的更低的斜率。e) 包含納米通道的憶阻器單元的擬合 I-V 曲線顯示阻性開關過程遵循空間電荷限制模式。f, g) 當設定電壓從 0、0.02 V 增加到 0.1 V 時，含納米通道的 CuZnS 薄膜和 Ag 電極之間界面區域的 Ag 3d (f) 和 S 2p (g) 的 XPS 光譜。h) High-包含納米通道的 CuZnS 薄膜的解析度 TEM（左）顯示納米通道中形成了銀絲。i) 當憶阻器處於設定狀態時嵌入銀絲的納米通道的橫截面TEM圖像。
圖 4. 紡織型憶阻器在複雜變形下的可靠性和耐久性。a) 顯示要彎曲的編織型憶阻器單元的示意圖。b) 示意圖顯示紡織型憶阻器的 Ag 纖維電極（紅色）滑動到 Pt/CuZnS 纖維上的不同位置。c, d) 紡織型憶阻器在彎曲不同曲率半徑 (c) 和彎曲循環後 (d, 曲率半徑為 10 mm) 時的設定電壓和電阻狀態的變化。e) 當Ag纖維電極沿Pt/CuZnS纖維滑動不同距離時，紡織型憶阻器的設定電壓和電阻狀態的變化。f, g) 顯示 5×5 紡織型憶阻器陣列的示意圖 (f) 和 25 個憶阻器單元 (g)在 100 次彎曲循環前後的設定電壓圖。h) (g) 中 5×5 紡織型憶阻器陣列的空間設定電壓直方圖顯示彎曲前後器件間的高度均勻性。
圖 5. 與紡織型憶阻器集成的全紡織集成電子系統的應用。a) 示意圖顯示了紡織型憶阻器與傳感、電源和顯示模塊集成在一起，形成用於交互應用的全紡織電子系統。b) 全紡織電子系統的系統級框圖。傳感、供電和顯示模塊通過輔助電路與紡織型憶阻器相連。c) 由紡織型憶阻器、紫外線光纖傳感器和紡織顯示器組成的紫外線監測反饋布的照片。d) 套筒處的實時紫外線監控器，以提醒紫外線強度。e) 示意圖顯示了集成了紡織型憶阻器和纖維摩擦電傳感器的智能布。f) 顯示「I Love You」手勢的照片通過全紡織電子系統翻譯並顯示在布上。g) 示意圖顯示實時醫療診斷紡織系統可以識別從癲癇患者收集的「正常」、「癲癇發作間期」和「癲癇發作期」的腦電波。h) 腦電信號的識別準確率達到95%。印度綠水鬼雙效錠、印度綠水鬼、綠水鬼雙效片、印度綠水鬼哪裡買、印度綠水鬼效果、
